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定義: 快閃存儲(chǔ)器(英語(yǔ):flashmemory),是一種電子式可清除程序化只讀存儲(chǔ)器的形式,允許在操作中被多次擦或?qū)懙拇鎯?chǔ)器。這種科技主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲(chǔ),以及在計(jì)算機(jī)與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù),如儲(chǔ)存卡與U盤(pán)。閃存是一種特殊的、以宏塊抹寫(xiě)的EEPROM。早期的閃存進(jìn)行一次抹除,就會(huì)清除掉整顆芯片上的數(shù)據(jù)。閃存的成本遠(yuǎn)較可以字節(jié)為單位寫(xiě)入的EEPROM來(lái)的低,也因此成為非易失性固態(tài)存儲(chǔ)最重要也最廣為采納的技術(shù)。像是PDA、筆記本電腦、數(shù)字隨身聽(tīng)、數(shù)字相機(jī)與手機(jī)上均可見(jiàn)到閃存。此外,閃存在游戲主機(jī)上的采用也日漸增加,藉以取代存儲(chǔ)游戲數(shù)據(jù)用的EEPROM或帶有電池的SRAM。閃存是非易失性的存儲(chǔ)器。這表示單就保存數(shù)據(jù)而言,它是不需要消耗電力的。與硬盤(pán)相比,閃存也有更佳的動(dòng)態(tài)抗震性。這些特性正是閃存被移動(dòng)設(shè)備廣泛采用的原因。閃存還有一項(xiàng)特性:當(dāng)它被制成儲(chǔ)存卡時(shí)非??煽咯ぉぜ词菇谒幸沧阋缘挚垢邏号c極端的溫度。閃存的寫(xiě)入速度往往明顯慢于讀取速度。雖然閃存在技術(shù)上屬于EEPROM,但是“EEPROM”這個(gè)字眼通常特指非快閃式、以小區(qū)塊為清除單位的EEPROM。它們典型的清除單位是字節(jié)。因?yàn)槔鲜降腅EPROM抹除循環(huán)相當(dāng)緩慢,相較之下快閃記體較大的抹除區(qū)塊在寫(xiě)入大量數(shù)據(jù)時(shí)帶給其顯著的速度優(yōu)勢(shì)。閃存又分為NOR與NAND兩型,閃存最常見(jiàn)的封裝方式是TSOP48和BGA,在邏輯接口上的標(biāo)準(zhǔn)則由于廠商陣營(yíng)而區(qū)分為兩種:ONFI和Toggle。手機(jī)上的閃存常常以eMMC、UFS的方式存在。注:本名詞內(nèi)容引自維基百科
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